拉曼图库

本页中所有的影像都是通过inVia显微拉曼光谱系统用WiRE™软件获得。这些实例只展现了这些系统的用户可用到的多种综合成像功能有限的一部分。

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药片

 

Tablet_batch1

药片的溶解、分解过程与其成分的分布和浓度相关

第1生产批次的药片

StreamLine™ Plus成像显示一片药片的配料成分分布

成像区域:6 mm x 12 mm

光谱数量:82,000

采集时间:38分钟

 

Tablet_batch2

第2生产批次的药片

StreamLine™ Plus成像显示一片药片的配料成分分布

成像区域:6 mm x 12 mm

光谱数量:82,000

采集时间:38分钟

多层石墨烯样品

 
 多层石墨烯样品的拉曼成像

 

单层、双层石墨烯以及其他多层石墨烯区域的鉴别

StreamLine™ Plus成像显示石墨烯薄片上不同厚度的分布情况

成像区域:110 µm x 120 µm

光谱数量:40,000

采集时间:14分钟

CVD金刚石薄膜

 

CVD金刚石薄膜的抛光表面

利用CVD技术长成的多晶金刚石薄膜的抛光表面

图像显示晶体形状、取向、应力和缺陷密度等信息。

成像区域:175 µm x 88 µm

光谱数量:51,200

采集时间:两个成像实验,每个15分钟(第一个采集过程用于生成三个拉曼图像,第二个用于生成发光图像)。

图像1:拉曼图像显示位于1332 cm-1的金刚石拉曼峰的峰位在1 cm-1范围的变化

图像2:拉曼图像显示位于1332 cm-1的金刚石拉曼峰的峰宽在2 cm-1范围的变化

图像3:拉曼图像显示位于1332 cm-1的金刚石拉曼峰的峰面积的变化

图像4:光致发光图像显示在1.68 eV中性Si空穴[Si-V]0带的强度的变化

硅晶圆片上的微米压痕

 

硅压痕 — 峰位成像

峰位

通过曲线拟合获得的峰位

成像区域:10 µm x 10 µm

光谱数量:10,000

采集时间:36分钟(两个图像分析均基于单次数据采集)

扫描细节:用压电扫描平台以100 nm步长获得

硅压痕 — 峰区域图

峰宽

曲线拟合分析得到的峰宽

苏格兰托里登湖的砂岩

 

托里登湖的砂岩

StreamLine™ Plus成像显示锐钛矿(TiO2,红色)、石英(SiO2,绿色)和赤铁矿(Fe2O3,蓝色)的分布情况

截面面积:500 µm x 320 µm

光谱数量:67,200

采集时间:20分钟

高分子聚合物压层薄片(PS和PMMA)

 

高分子聚合物压层薄片(PS和PMMA)

高分子聚合物压层薄片样品的StreamLine™ Plus成像显示PMMA(红色)、环氧树脂(绿色)和聚苯乙烯(蓝色)的分布情况

成像区域:240 µm x 645 µm

光谱数量:17,200

采集时间:7分钟

受应力的Si-Ge交叉阴影

 

Si-Ge_crosshatch

通过StreamLine™ Plus获得的Si-Ge半导样品的图像表现出其应力结构。图像显示Si-Si位于510 cm-1拉曼峰峰位的变化(有~0.2 cm-1的峰位偏移)。图中数据由曲线拟合生成。

成像区域:129 µm x 130 µm

光谱数量:55,000

采集时间:13分钟

牙齿截面

 

牙齿截面拉曼成像

牙齿截面的StreamLine™ Plus成像,突出显示牙釉质(绿色)、牙本质(蓝色)和高荧光性区域(红色)

成像区域:9 mm x 16 mm

光谱数量:84,000

采集时间:20分钟

多层石墨烯样品 
  

激光诱导的晶体硅轨迹

 
在非晶衬底上激光诱导生成的晶体硅轨迹

在非晶衬底上激光诱导生成的晶体硅轨迹的StreamLine™ Plus图像

成像区域:550 µm x 550 µm

光谱数量:70,000

采集时间:17分钟

晶体硅轨迹放大图上图放大的轨迹区域 (~ 250 µm x 250 µm)

药片

药片的溶解、分解过程与其成分的分布和浓度相关

Tablet_batch1 第1生产批次的药片

StreamLine™ Plus成像显示一片药片的配料成分分布

成像区域:6 mm x 12 mm

光谱数量:82,000

采集时间:38分钟

Tablet_batch2 第2生产批次的药片

StreamLine™ Plus成像显示一片药片的配料成分分布

成像区域:6 mm x 12 mm

光谱数量:82,000

采集时间:38分钟

多层石墨烯样品

多层石墨烯样品的拉曼成像 单层、双层石墨烯以及其他多层石墨烯区域的鉴别

StreamLine™ Plus成像显示石墨烯薄片上不同厚度的分布情况

成像区域:110 µm x 120 µm

光谱数量:40,000

采集时间:14分钟

CVD金刚石薄膜

CVD金刚石薄膜的抛光表面 利用CVD技术长成的多晶金刚石薄膜的抛光表面

图像显示晶体形状、取向、应力和缺陷密度等信息。

成像区域:175 µm x 88 µm

光谱数量:51,200

采集时间:两个成像实验,每个15分钟(第一个采集过程用于生成三个拉曼图像,第二个用于生成发光图像)。

图像1:拉曼图像显示位于1332 cm-1的金刚石拉曼峰的峰位在1 cm-1范围的变化

图像2:拉曼图像显示位于1332 cm-1的金刚石拉曼峰的峰宽在2 cm-1范围的变化

图像3:拉曼图像显示位于1332 cm-1的金刚石拉曼峰的峰面积的变化

图像4:光致发光图像显示在1.68 eV中性Si空穴[Si-V]0带的强度的变化

硅晶圆片上的微米压痕

硅压痕 — 峰位成像 峰位

通过曲线拟合获得的峰位

成像区域:10 µm x 10 µm

光谱数量:10,000

采集时间:36分钟(两个图像分析均基于单次数据采集)

扫描细节:用压电扫描平台以100 nm步长获得

硅压痕 — 峰区域图 峰宽

曲线拟合分析得到的峰宽

苏格兰托里登湖的砂岩

托里登湖的砂岩 StreamLine™ Plus成像显示锐钛矿(TiO2,红色)、石英(SiO2,绿色)和赤铁矿(Fe2O3,蓝色)的分布情况

截面面积:500 µm x 320 µm

光谱数量:67,200

采集时间:20分钟

高分子聚合物压层薄片(PS和PMMA)

高分子聚合物压层薄片(PS和PMMA) 高分子聚合物压层薄片样品的StreamLine™ Plus成像显示PMMA(红色)、环氧树脂(绿色)和聚苯乙烯(蓝色)的分布情况

成像区域:240 µm x 645 µm

光谱数量:17,200

采集时间:7分钟

受应力的Si-Ge交叉阴影

Si-Ge_crosshatch 通过StreamLine™ Plus获得的Si-Ge半导样品的图像表现出其应力结构。图像显示Si-Si位于510 cm-1拉曼峰峰位的变化(有~0.2 cm-1的峰位偏移)。图中数据由曲线拟合生成。

成像区域:129 µm x 130 µm

光谱数量:55,000

采集时间:13分钟

牙齿截面

牙齿截面拉曼成像 牙齿截面的StreamLine™ Plus成像,突出显示牙釉质(绿色)、牙本质(蓝色)和高荧光性区域(红色)

成像区域:9 mm x 16 mm

光谱数量:84,000

采集时间:20分钟

激光诱导的晶体硅轨迹

在非晶衬底上激光诱导生成的晶体硅轨迹 在非晶衬底上激光诱导生成的晶体硅轨迹的StreamLine™ Plus图像

成像区域:550 µm x 550 µm

光谱数量:70,000

采集时间:17分钟

晶体硅轨迹放大图 上图放大的轨迹区域 (~ 250 µm x 250 µm)

后续步骤

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