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碳化硅

现代电子工业使用各种半导体材料。晶体管、太阳能电池和发光二极管等尖端器件，将材料性能推向极致，并且需要非常均匀一致的源材料。拉曼光谱是研究半导体的理想工具。

描绘半导体的特性

您可以使用拉曼，对所有半导体（例如Si、碳基的、III-V族，及聚合物）和超导体进行特性描绘并生成图像。可揭示许多信息，包括：
  • 化学构成（例如，半导体化合物的合金片段）
  • 多型体（例如，4H-SiC和6H-SiC）
  • 应变/应力
  • 掺杂浓度
  • 薄膜厚度
  • 晶体结构种类和取向
  • 晶体质量
  • 均匀度和纯度
  • 器件温度

分析简单

拉曼分析简单易行，因为无需样品制备。它不需要真空技术，也不会受到使用电子显微镜时所产生的电荷效应的影响。

雷尼绍能对您的拉曼系统进行配置，使其适合所有的用户 — 无论是科研人员还是技术人员。

大面积分析
雷尼绍拉曼系统能够分析很大的样品。例如，您可生成整个晶圆的图像，以发现污染物或残留应力。

PL测试
雷尼绍的拉曼系统还使您能够采集和分析光致发光 (PL) 光谱。您可以用一台仪器同时采集振动信息和电子信息。

在线系统
在您的生产线上添加雷尼绍的拉曼系统，进行以控制质量为目的的在线分析。尽早诊断问题，减少浪费并提高产出。

可靠的结果
雷尼绍拉曼系统生成准确代表样品的高度可重复性数据。内置自动校准和自检功能，确保无论何时收集到的数据都能准确无误地进行比较。

详细信息

  • Application note: Analyse silicon carbide (SiC) with the inVia Raman microscope Application note: Analyse silicon carbide (SiC) with the inVia Raman microscope [en]

    The properties of silicon carbide are highly dependent on its crystal structure (it can exist in many polytypes), on the quality of the crystal, and on the number and types of defects present. Manufacturers of silicon carbide raw material and devices need to monitor and control these attributes to enhance yield. The first step in controlling these parameters is to measure them repeatably and quantifiably. Renishaw’s Raman systems are ideal for this.

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联系当地的雷尼绍业务代表，了解雷尼绍的inVia如何能够提供可靠且可重复的结果。